Продукція > STMICROELECTRONICS > STD3N65M6

STD3N65M6 STMicroelectronics

Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 1.4 Ohm typ 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 187-196 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	92.70 грн
10+	74.79 грн
100+	50.61 грн
500+	42.89 грн
1000+	34.94 грн
2500+	32.81 грн
5000+	31.27 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис STD3N65M6 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.75A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.75V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STD3N65M6

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
STD3N65M6	Виробник : STMicroelectronics	Trans MOSFET N-CH 650V 3.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STD3N65M6	Виробник : STMicroelectronics	Trans MOSFET N-CH 650V 3.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STD3N65M6	Виробник : STMicroelectronics	Description: MOSFET N-CH 650V DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.75A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.75V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 100 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.