STD3NK100Z STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 65.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD3NK100Z STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD3NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 2.5 A, 6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STD3NK100Z за ціною від 61.98 грн до 230.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD3NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD3NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD3NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 152500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD3NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 152500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STD3NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs Hi Vltg NPN Zener SuperMESH |
на замовлення 2406 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD3NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD3NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.25A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 25 V |
на замовлення 5622 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD3NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STD3NK100Z | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD3NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 2.5 A, 6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|