STD3NK100Z

STD3NK100Z STMicroelectronics


en.cd00158273.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+47.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD3NK100Z STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD3NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 2.5 A, 6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STD3NK100Z за ціною від 67.27 грн до 225.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD3NK100Z STD3NK100Z Виробник : STMicroelectronics en.CD00158273.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+70.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK100Z STD3NK100Z Виробник : STMicroelectronics en.cd00158273.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+78.13 грн
5000+76.13 грн
10000+75.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK100Z STD3NK100Z Виробник : STMicroelectronics en.cd00158273.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+83.33 грн
5000+81.18 грн
10000+80.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK100Z STD3NK100Z Виробник : STMicroelectronics en.cd00158273.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 152500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+85.68 грн
5000+83.23 грн
10000+82.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK100Z STD3NK100Z Виробник : STMicroelectronics en.cd00158273.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 152500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+91.80 грн
5000+89.18 грн
10000+88.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK100Z STD3NK100Z Виробник : STMicroelectronics en.CD00158273.pdf MOSFETs Hi Vltg NPN Zener SuperMESH
на замовлення 1104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+185.39 грн
10+121.83 грн
100+83.24 грн
500+75.52 грн
1000+74.16 грн
2500+67.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK100Z STD3NK100Z Виробник : STMicroelectronics en.cd00158273.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
65+191.44 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK100Z STD3NK100Z Виробник : STMicroelectronics en.cd00158273.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+205.11 грн
10+169.58 грн
25+92.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK100Z STD3NK100Z Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0005454631-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD3NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 2.5 A, 6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+207.97 грн
10+140.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK100Z STD3NK100Z Виробник : STMicroelectronics en.CD00158273.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 25 V
на замовлення 3297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.92 грн
10+141.09 грн
100+97.83 грн
500+77.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK100Z Виробник : STMicroelectronics en.cd00158273.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.