STD3NK60Z-1 STMicroelectronics
на замовлення 18300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 18.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD3NK60Z-1 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD3NK60Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.4 A, 3.3 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STD3NK60Z-1 за ціною від 10.80 грн до 124.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD3NK60Z1 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 18504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
STD3NK60Z1 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 18525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
STD3NK60Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 25 V |
на замовлення 2896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
STD3NK60Z-1 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD3NK60Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.4 A, 3.3 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
STD3NK60Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch, 600V-3.3ohms Zener SuperMESH 2.4A |
на замовлення 2984 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| STD3NK60Z-1 | Виробник : ST |
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK STD3NK60Z-1 TSTD3NK60Z-1 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| STD3NK60Z-1 | Виробник : ST |
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK STD3NK60Z-1 TSTD3NK60Z-1 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
|
STD3NK60Z-1 (IPAK, ST) Код товару: 114501
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : ST |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: IPAK Uds,V: 600 V Idd,A: 2,4 A Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 311/11,8 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
|||||||||||||||||||||
|
|
STD3NK60Z1 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
STD3NK60Z1 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
STD3NK60Z1 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
| STD3NK60Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
 |
STD3NK60Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; Idm: 9.6A; 45W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.51A Power dissipation: 45W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Pulsed drain current: 9.6A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
STD3NK60Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; Idm: 9.6A; 45W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.51A Power dissipation: 45W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Pulsed drain current: 9.6A |
товару немає в наявності |