Продукція > ST > STD3NK60Z-1

STD3NK60Z-1


en.CD00003099.pdf
Виробник: ST
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK STD3NK60Z-1 TSTD3NK60Z-1
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+16.89 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD3NK60Z-1 ST

Description: STMICROELECTRONICS - STD3NK60Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.4 A, 3.3 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STD3NK60Z-1 за ціною від 10.80 грн до 121.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD3NK60Z-1 STD3NK60Z-1 Виробник : STMicroelectronics en.cd00003099.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 34675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
348+40.26 грн
368+38.06 грн
500+34.46 грн
1000+30.06 грн
3000+26.18 грн
6000+24.25 грн
9000+23.44 грн
Мінімальне замовлення: 348
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK60Z-1 STD3NK60Z-1 Виробник : STMicroelectronics en.cd00003099.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 34675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+55.48 грн
19+40.34 грн
100+38.14 грн
500+33.29 грн
1000+27.88 грн
3000+25.18 грн
6000+24.30 грн
9000+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK60Z-1 STD3NK60Z-1 Виробник : STMicroelectronics std3nk60z-1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; Idm: 9.6A; 45W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 9.6A
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+101.19 грн
7+68.96 грн
10+55.62 грн
75+31.13 грн
150+28.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK60Z-1 STD3NK60Z-1 Виробник : STMicroelectronics en.CD00003099.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 25 V
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.50 грн
75+44.07 грн
150+39.41 грн
525+30.78 грн
1050+28.09 грн
2025+25.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK60Z-1 STD3NK60Z-1 Виробник : STMicroelectronics en.CD00003099.pdf MOSFETs N-Ch, 600V-3.3ohms Zener SuperMESH 2.4A
на замовлення 3916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.09 грн
10+50.98 грн
100+39.66 грн
500+33.04 грн
1000+27.81 грн
6000+25.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK60Z-1 STD3NK60Z-1 Виробник : STMICROELECTRONICS 2307463.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD3NK60Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.4 A, 3.3 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+121.16 грн
16+53.75 грн
100+48.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK60Z-1 Виробник : ST en.CD00003099.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK STD3NK60Z-1 TSTD3NK60Z-1
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+23.87 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK60Z-1 (IPAK, ST)
Код товару: 114501
Додати до обраних Обраний товар
Виробник : ST cd00003099-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: IPAK
Uds,V: 600 V
Idd,A: 2,4 A
Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 311/11,8
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+20.00 грн
10+10.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK60Z-1 STD3NK60Z-1 Виробник : STMicroelectronics en.cd00003099.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK60Z-1 Виробник : STM en.CD00003099.pdf MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.