STD3NK60ZT4

STD3NK60ZT4 STMicroelectronics


en.cd00003099.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 70000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.19 грн
5000+27.42 грн
7500+27.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD3NK60ZT4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD3NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.4 A, 3.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STD3NK60ZT4 за ціною від 28.29 грн до 133.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD3NK60ZT4 STD3NK60ZT4 Виробник : STMicroelectronics en.cd00003099.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.46 грн
5000+28.66 грн
7500+28.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK60ZT4 STD3NK60ZT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00003099.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+36.84 грн
5000+34.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK60ZT4 STD3NK60ZT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00003099.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 25 V
на замовлення 6426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.82 грн
10+74.26 грн
100+56.19 грн
500+41.74 грн
1000+38.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK60ZT4 STD3NK60ZT4 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0006184986-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD3NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.4 A, 3.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+128.74 грн
10+89.13 грн
100+60.58 грн
500+44.75 грн
1000+38.20 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK60ZT4 STD3NK60ZT4 Виробник : STMicroelectronics stb3nk60zt4-1850082.pdf MOSFETs N-Ch 600 Volt 2.4 A Zener SuperMESH
на замовлення 3803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.04 грн
10+90.53 грн
100+53.78 грн
500+42.74 грн
1000+39.58 грн
2500+34.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK60ZT4*******
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK60ZT4 STD3NK60ZT4 Виробник : STMicroelectronics en.cd00003099.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK60ZT4 STD3NK60ZT4 Виробник : STMicroelectronics en.cd00003099.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK60ZT4 STD3NK60ZT4 Виробник : STMicroelectronics en.cd00003099.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK60ZT4 Виробник : STMicroelectronics en.cd00003099.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK60ZT4 Виробник : STMicroelectronics std3nk60zt4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; Idm: 9.6A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 9.6A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK60ZT4 Виробник : STMicroelectronics std3nk60zt4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; Idm: 9.6A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 9.6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.