Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STD3NK80Z-1
STD3NK80Z-1

STD3NK80Z-1

std3nk80z1-dataheet.pdf
Код товару: 114732
Виробник: ST
Uds,V: 800 V
Idd,A: 2,5 A
Rds(on), Ohm: 4,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 485/19
Монтаж: THT
у наявності 117 шт:
78 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
12 шт - РАДІОМАГ-Одеса
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+18.00 грн
10+16.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STD3NK80Z-1 за ціною від 22.92 грн до 178.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD3NK80Z-1 STD3NK80Z-1 Виробник : STMicroelectronics std3nk80z-1.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80Z-1 STD3NK80Z-1 Виробник : STMicroelectronics en.CD00003377.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.53 грн
75+58.59 грн
150+55.39 грн
525+50.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80Z-1 STD3NK80Z-1 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3928E2924A469&compId=STF3NK80Z.pdf?ci_sign=be42449d528134052275d3e390860d88d46a192c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; I2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 70W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.47 грн
11+37.63 грн
33+27.43 грн
90+25.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80Z-1 STD3NK80Z-1 Виробник : STMicroelectronics en.CD00003377.pdf MOSFETs N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A
на замовлення 3456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.19 грн
10+69.29 грн
100+57.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80Z-1 STD3NK80Z-1 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3928E2924A469&compId=STF3NK80Z.pdf?ci_sign=be42449d528134052275d3e390860d88d46a192c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; I2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 70W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 835 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.37 грн
10+46.89 грн
33+32.92 грн
90+31.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80Z-1 STD3NK80Z-1 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0003061510-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD3NK80Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.25 A, 3.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+178.26 грн
10+91.61 грн
100+79.39 грн
500+63.07 грн
1000+52.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80Z-1 Виробник : ST en.CD00003377.pdf Transistor N-MOSFET; 800V; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C; STD3NK80Z-1 TSTD3NK80z1
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+29.77 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80Z-1 STD3NK80Z-1 Виробник : STMicroelectronics std3nk80z-1.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80Z-1 Виробник : STMicroelectronics std3nk80z-1.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

10uF 400V ESG 10x20mm (for ballast, 5000годин) (ESG100M2GBA-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 18649
Додати до обраних Обраний товар

ESG_080319.pdf
10uF 400V ESG 10x20mm (for ballast, 5000годин) (ESG100M2GBA-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 400 V
Серія: ESG
Тип: для баласту з довгим терміном служби, 105С
Темп.діап.: -25...+105°C
Габарити: 10х20mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 1384 шт
1142 шт - склад
83 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
66 шт - РАДІОМАГ-Харків
45 шт - РАДІОМАГ-Одеса
44 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 2000 шт
2000 шт - очікується
Кількість Ціна
2+8.00 грн
10+7.20 грн
100+6.30 грн
1000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Диністор DB3
Код товару: 22619
Додати до обраних Обраний товар

DB3, DB4, SMDB3.pdf
Диністор DB3
Виробник: ST
Тиристори > Тиристори, діністори
Корпус: DO-35
Uзакр,V: 28...36 V
Imax,A: 2 А
у наявності: 13371 шт
12246 шт - склад
189 шт - РАДІОМАГ-Київ
361 шт - РАДІОМАГ-Львів
31 шт - РАДІОМАГ-Харків
70 шт - РАДІОМАГ-Одеса
474 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
5+2.00 грн
10+1.00 грн
100+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
L78L05ABUTR
Код товару: 24972
Додати до обраних Обраний товар

78L00 series.pdf
L78L05ABUTR
Виробник: ST
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: SOT-89
Uin, V: 30 V
Uout,V: 5 V
Iout,A: 0,1 A
Udrop, V: 1,7 V
Тип виходу: Фіксований
Темп.діапазон: -40...125°C
у наявності: 3077 шт
2626 шт - склад
115 шт - РАДІОМАГ-Київ
111 шт - РАДІОМАГ-Львів
15 шт - РАДІОМАГ-Харків
22 шт - РАДІОМАГ-Одеса
188 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+6.00 грн
10+5.40 грн
100+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9210
Код товару: 77978
Додати до обраних Обраний товар

91281tg453d4d.pdf
IRFU9210
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-251
Uds,V: 200 V
Id,A: 1,9 A
Rds(on),Om: 3,0 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 170/8.9
Монтаж: THT
у наявності: 235 шт
192 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
12 шт - РАДІОМАГ-Львів
7 шт - РАДІОМАГ-Харків
13 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+24.00 грн
10+21.60 грн
100+19.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Батарейка AG13 лужна 1,5V 1шт. VIDEX AG13-10BC LR44
Код товару: 142483
Додати до обраних Обраний товар

Батарейка AG13 лужна 1,5V 1шт. VIDEX AG13-10BC LR44
Виробник: VIDEX
Батарейки
Матеріал: лужна
Розмір: AG13/LR44
Напруга, V: 1,5 V
Форма: Таблетка
у наявності: 524 шт
395 шт - склад
44 шт - РАДІОМАГ-Львів
33 шт - РАДІОМАГ-Харків
30 шт - РАДІОМАГ-Одеса
22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 20 шт
20 шт - очікується
Кількість Ціна
2+6.00 грн
10+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.