Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STD3NK80Z-1

STD3NK80Z-1

std3nk80z1-dataheet.pdf
Код товару: 114732
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: ST
Корпус: IPAK
Напруга сток-витік Uds, V: 800 V
Струм стоку Idd, A: 2,5 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 4,5 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 485/19
Монтаж: THT
у наявності: 90 шт
  • 46 шт - склад
  • 27 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
2+18.00 грн
10+16.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STD3NK80Z-1 за ціною від 37.82 грн до 186.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STD3NK80Z-1 STD3NK80Z-1 STMicroelectronics std3nk80z-1.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 9455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.45 грн
75+94.56 грн
150+88.40 грн
525+73.75 грн
1050+67.90 грн
2025+61.96 грн
5025+59.43 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80Z-1 STD3NK80Z-1 STMicroelectronics std3nk80z-1.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 9440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+103.45 грн
149+95.49 грн
159+89.26 грн
525+74.47 грн
1050+68.57 грн
2025+62.57 грн
5025+60.01 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80Z-1 STD3NK80Z-1 STMicroelectronics en.CD00003377.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
на замовлення 2338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.06 грн
75+80.86 грн
150+73.07 грн
525+58.18 грн
1050+53.68 грн
2025+50.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80Z-1 STD3NK80Z-1 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0003061510-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD3NK80Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.25 A, 3.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.14 грн
10+88.60 грн
100+77.38 грн
500+57.74 грн
1000+45.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80Z-1 STD3NK80Z-1 STMicroelectronics en.CD00003377.pdf MOSFETs N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A
на замовлення 3405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80Z-1 ST en.CD00003377.pdf Transistor N-MOSFET; 800V; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C; STD3NK80Z-1 TSTD3NK80z1
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
75+37.82 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80Z-1 ST en.CD00003377.pdf Transistor N-MOSFET; 800V; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C; STD3NK80Z-1 TSTD3NK80z1
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
75+37.82 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80Z-1 ST en.CD00003377.pdf Transistor N-MOSFET; 800V; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C; STD3NK80Z-1 TSTD3NK80z1
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
75+37.82 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80Z-1 std3nk80z-1.pdf
STD3NK80Z-1
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 9455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+102.45 грн
75+94.56 грн
150+88.40 грн
525+73.75 грн
1050+67.90 грн
2025+61.96 грн
5025+59.43 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80Z-1 std3nk80z-1.pdf
STD3NK80Z-1
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 9440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
137+103.45 грн
149+95.49 грн
159+89.26 грн
525+74.47 грн
1050+68.57 грн
2025+62.57 грн
5025+60.01 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80Z-1 en.CD00003377.pdf
STD3NK80Z-1
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
на замовлення 2338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+181.06 грн
75+80.86 грн
150+73.07 грн
525+58.18 грн
1050+53.68 грн
2025+50.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80Z-1 SGST-S-A0003061510-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STD3NK80Z-1
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD3NK80Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.25 A, 3.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+186.14 грн
10+88.60 грн
100+77.38 грн
500+57.74 грн
1000+45.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80Z-1 en.CD00003377.pdf
STD3NK80Z-1
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A
на замовлення 3405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80Z-1 en.CD00003377.pdf
Виробник: ST
Transistor N-MOSFET; 800V; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C; STD3NK80Z-1 TSTD3NK80z1
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
75+37.82 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80Z-1 en.CD00003377.pdf
Виробник: ST
Transistor N-MOSFET; 800V; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C; STD3NK80Z-1 TSTD3NK80z1
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
75+37.82 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80Z-1 en.CD00003377.pdf
Виробник: ST
Transistor N-MOSFET; 800V; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C; STD3NK80Z-1 TSTD3NK80z1
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
75+37.82 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

10uF 400V ESG 10x20mm (for ballast, 5000год.ин) (ESG100M2GBA-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 18649
3 Додати до обраних Обраний товар
ESG_080319.pdf
10uF 400V ESG 10x20mm (for ballast, 5000год.ин) (ESG100M2GBA-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 µF
Номін. напруга: 400 V
Серія: ESG
Тип: для баласту, з довгим терміном служби, 105°C
Темп. діапазон: -25...+105°C
Габарити: 10x20 mm
Строк служби: 5000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
товару немає в наявності
очікується: 2000 шт
  • 2000 шт - очікується 10.08.2026
КількістьЦіна без ПДВ
3+8.00 грн
10+7.20 грн
100+6.30 грн
1000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55-C18
Код товару: 2473
Додати до обраних Обраний товар
BZX55.pdf
BZX55-C18
Виробник: NXP/YJ
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації Vz, V: 18 V
Струм стабілізації Izt, mA: 5 mA
Потужність Pd, W: 0,4 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 14.4mV/K
у наявності: 292 шт
  • 184 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 108 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
10+2.00 грн
16+1.30 грн
100+1.00 грн
1000+0.80 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2200uF 50V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR222M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 2453
3 Додати до обраних Обраний товар
EXR_080421.pdf
2200uF 50V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR222M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)2200uF 50V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR222M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
2200uF 50V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR222M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)2200uF 50V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR222M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 2200 µF
Номін. напруга: 50 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -40...+105°C
Габарити: 18x36 mm
Строк служби: 5000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
товару немає в наявності
очікується: 1000 шт
  • 1000 шт - очікується 29.10.2026
КількістьЦіна без ПДВ
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VCR-14D511K (S14K320,TVR14511,GNR-14D511K) (варистор)
Код товару: 1980
2 Додати до обраних Обраний товар
VCR-14D_081201.pdf
VCR-14D511K (S14K320,TVR14511,GNR-14D511K) (варистор)
Виробник: Hitano
Пасивні компоненти > Варистори
Uроб AC/DC, V: 320/415 V
Uвар, V: 510(459...561) V
Макс. напруга і струм спрацьовування, V@A: 845@50 B@A
Iмакс.(8/20мкс): 4500 Iмакс.(8/20мкс)
Потужність, W: 0,6 W
Ємність, pF: 390 pF
Розмір: 14D
у наявності: 512 шт
  • 415 шт - склад
  • 27 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 25 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 24 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
3+9.00 грн
10+8.00 грн
100+7.20 грн
1000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
6,8 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-6R8-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 1840
Додати до обраних Обраний товар
rc_series_20150401_1.pdf
6,8 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-6R8-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 6,8 Ohm
Точність: ±5% J
Pном, W: 0,25 W
Uроб, V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 911 шт
  • 910 шт - склад
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
100+0.25 грн
1000+0.18 грн
10000+0.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.