Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STD3NK80Z-1

STD3NK80Z-1

std3nk80z1-dataheet.pdf
Код товару: 114732
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: ST
Корпус: IPAK
Напруга сток-витік Uds, В: 800 В
Струм стоку Idd, А: 2,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 4,5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 485/19
Монтаж: THT
у наявності: 85 шт
  • 43 шт - склад
  • 25 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 12 шт
  • 12 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+18.00 грн
10+16.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STD3NK80Z-1 за ціною від 37.82 грн до 196.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STD3NK80Z-1 STD3NK80Z-1 STMicroelectronics std3nk80z-1.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 11723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+99.13 грн
151+93.81 грн
163+87.11 грн
525+74.55 грн
1050+68.33 грн
2025+64.51 грн
5025+60.70 грн
10050+59.46 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80Z-1 STD3NK80Z-1 STMicroelectronics std3nk80z-1.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 11730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+99.61 грн
75+94.27 грн
150+87.54 грн
525+74.92 грн
1050+68.68 грн
2025+64.84 грн
5025+61.01 грн
10050+59.76 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80Z-1 STD3NK80Z-1 STMicroelectronics STF3NK80Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; I2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 70W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+165.19 грн
5+112.76 грн
10+96.18 грн
25+78.77 грн
50+69.65 грн
75+63.84 грн
150+58.04 грн
525+51.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80Z-1 STD3NK80Z-1 STMicroelectronics en.CD00003377.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.05 грн
75+87.55 грн
150+79.12 грн
525+63.00 грн
1050+58.12 грн
2025+54.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80Z-1 STD3NK80Z-1 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0003061510-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD3NK80Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.25 A, 3.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
на замовлення 2589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80Z-1 STD3NK80Z-1 STMicroelectronics en.CD00003377.pdf MOSFETs N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A
на замовлення 3402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80Z-1 ST en.CD00003377.pdf Transistor N-MOSFET; 800V; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C; STD3NK80Z-1 TSTD3NK80z1
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
75+37.82 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80Z-1 ST en.CD00003377.pdf Transistor N-MOSFET; 800V; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C; STD3NK80Z-1 TSTD3NK80z1
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
75+37.82 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80Z-1 ST en.CD00003377.pdf Transistor N-MOSFET; 800V; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C; STD3NK80Z-1 TSTD3NK80z1
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
75+37.82 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80Z-1 std3nk80z-1.pdf
STD3NK80Z-1
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 11723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
143+99.13 грн
151+93.81 грн
163+87.11 грн
525+74.55 грн
1050+68.33 грн
2025+64.51 грн
5025+60.70 грн
10050+59.46 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80Z-1 std3nk80z-1.pdf
STD3NK80Z-1
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 11730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+99.61 грн
75+94.27 грн
150+87.54 грн
525+74.92 грн
1050+68.68 грн
2025+64.84 грн
5025+61.01 грн
10050+59.76 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80Z-1 STF3NK80Z.pdf
STD3NK80Z-1
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; I2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 70W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+165.19 грн
5+112.76 грн
10+96.18 грн
25+78.77 грн
50+69.65 грн
75+63.84 грн
150+58.04 грн
525+51.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80Z-1 en.CD00003377.pdf
STD3NK80Z-1
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+196.05 грн
75+87.55 грн
150+79.12 грн
525+63.00 грн
1050+58.12 грн
2025+54.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80Z-1 SGST-S-A0003061510-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STD3NK80Z-1
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD3NK80Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.25 A, 3.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
на замовлення 2589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80Z-1 en.CD00003377.pdf
STD3NK80Z-1
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A
на замовлення 3402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80Z-1 en.CD00003377.pdf
Виробник: ST
Transistor N-MOSFET; 800V; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C; STD3NK80Z-1 TSTD3NK80z1
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
75+37.82 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80Z-1 en.CD00003377.pdf
Виробник: ST
Transistor N-MOSFET; 800V; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C; STD3NK80Z-1 TSTD3NK80z1
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
75+37.82 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK80Z-1 en.CD00003377.pdf
Виробник: ST
Transistor N-MOSFET; 800V; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C; STD3NK80Z-1 TSTD3NK80z1
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
75+37.82 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

10uF 400V ESG 10x20mm (for ballast, 5000год.ин) (ESG100M2GBA-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 18649
3 Додати до обраних Обраний товар
ESG_080319.pdf
10uF 400V ESG 10x20mm (for ballast, 5000год.ин) (ESG100M2GBA-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 мкФ
Номін. напруга: 400 В
Серія: ESG
Тип: для баласту, з довгим терміном служби, 105°C
Темп. діапазон: -25...+105°С
Габарити: 10x20 мм
Строк служби: 5000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
товару немає в наявності
очікується: 2005 шт
  • 2000 шт - очікується 10.08.2026
  • 5 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
3+8.00 грн
10+7.20 грн
100+6.30 грн
1000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55-C18
Код товару: 2473
Додати до обраних Обраний товар
BZX55.pdf
BZX55-C18
Виробник: NXP/YJ
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації Vz, В: 18 В
Струм стабілізації Izt, мА: 5 мА
Потужність Pd, Вт: 0,4 Вт
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 14,4 мВ/K
у наявності: 292 шт
  • 184 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 108 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 45 шт
  • 45 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+2.00 грн
16+1.30 грн
100+1.00 грн
1000+0.80 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2200uF 50V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR222M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 2453
3 Додати до обраних Обраний товар
EXR_080421.pdf
2200uF 50V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR222M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)2200uF 50V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR222M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
2200uF 50V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR222M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)2200uF 50V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR222M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 2200 мкФ
Номін. напруга: 50 В
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 18x36 мм
Строк служби: 5000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
очікується: 1000 шт
  • 1000 шт - очікується 29.08.2026
на замовлення: 12 шт
  • 12 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VCR-14D511K (S14K320,TVR14511,GNR-14D511K) (варистор)
Код товару: 1980
2 Додати до обраних Обраний товар
VCR-14D_081201.pdf
VCR-14D511K (S14K320,TVR14511,GNR-14D511K) (варистор)
Виробник: Hitano
Пасивні компоненти > Варистори
Uроб AC/DC, В: 320/415 В
Uвар, В: 510(459...561) В
Макс. напруга і струм спрацьовування, В@A: 845@50 B@A
Iмакс.(8/20мкс): 4500 А
Потужність, Вт: 0,6 Вт
Ємність, пФ: 390 пФ
Розмір: 14D
у наявності: 488 шт
  • 392 шт - склад
  • 26 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 25 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 24 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 66 шт
  • 66 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+9.00 грн
10+8.00 грн
100+7.20 грн
1000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
6,8 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-6R8-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 1840
Додати до обраних Обраний товар
rc_series_20150401_1.pdf
6,8 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-6R8-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 6,8 Ом
Точність: ±5% J
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
у наявності: 911 шт
  • 910 шт - склад
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 1200 шт
  • 1200 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+0.25 грн
1000+0.18 грн
10000+0.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.