STD3NK80Z-1
Код товару: 114732
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: ST
Корпус: IPAK
Uds,V: 800 V
Idd,A: 2,5 A
Rds(on), Ohm: 4,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 485/19
Монтаж: THT
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 18.00 грн |
| 10+ | 16.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції STD3NK80Z-1 за ціною від 37.81 грн до 186.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD3NK80Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 9440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD3NK80Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 9455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD3NK80Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; I2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.57A Power dissipation: 70W Case: I2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 784 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD3NK80Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.25A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V |
на замовлення 2338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD3NK80Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A |
на замовлення 3422 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD3NK80Z-1 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD3NK80Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.25 A, 3.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STD3NK80Z-1 | Виробник : ST |
Transistor N-MOSFET; 800V; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C; STD3NK80Z-1 TSTD3NK80z1 кількість в упаковці: 75 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| STD3NK80Z-1 | Виробник : ST |
Transistor N-MOSFET; 800V; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C; STD3NK80Z-1 TSTD3NK80z1 кількість в упаковці: 75 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| STD3NK80Z-1 | Виробник : ST |
Transistor N-MOSFET; 800V; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C; STD3NK80Z-1 TSTD3NK80z1 кількість в упаковці: 75 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
STD3NK80Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| 10uF 400V ESG 10x20mm (for ballast, 5000годин) (ESG100M2GBA-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 18649
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 400 V
Серія: ESG
Тип: для баласту з довгим терміном служби, 105С
Темп.діап.: -25...+105°C
Габарити: 10х20mm
Строк життя: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 400 V
Серія: ESG
Тип: для баласту з довгим терміном служби, 105С
Темп.діап.: -25...+105°C
Габарити: 10х20mm
Строк життя: 5000 годин
товару немає в наявності
очікується:
2000 шт
2000 шт - очікується 10.08.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 8.00 грн |
| 10+ | 7.20 грн |
| 100+ | 6.30 грн |
| 1000+ | 5.50 грн |
| BZX55-C18 Код товару: 2473
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: NXP/YJ
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації, Vz: 18 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 14.4mV/K
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації, Vz: 18 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 14.4mV/K
у наявності: 528 шт
210 шт - РАДІОМАГ-Київ
219 шт - РАДІОМАГ-Харків
99 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
219 шт - РАДІОМАГ-Харків
99 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 16+ | 1.30 грн |
| 100+ | 1.00 грн |
| 1000+ | 0.80 грн |
| 2200uF 50V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR222M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 2453
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 2200 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 18х36mm
Строк життя: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 2200 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 18х36mm
Строк життя: 5000 годин
товару немає в наявності
очікується:
1000 шт
1000 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 28.00 грн |
| 10+ | 25.20 грн |
| 100+ | 22.50 грн |
| VCR-14D511K (S14K320,TVR14511,GNR-14D511K) (варистор) Код товару: 1980
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: Hitano
Пасивні компоненти > Варистори
Uроб AC/DC, V: 320/415 V
Uвар, V: 510(459...561) V
Макс. напруга і струм спрацьовування, В@A: 845@50 В@A
Iмакс.(8/20мкс): 4500 Iмакс.(8/20мкс)
Потужність, W: 0,6 W
Ємність, pF: 390 pF
Розмір: 14D
Пасивні компоненти > Варистори
Uроб AC/DC, V: 320/415 V
Uвар, V: 510(459...561) V
Макс. напруга і струм спрацьовування, В@A: 845@50 В@A
Iмакс.(8/20мкс): 4500 Iмакс.(8/20мкс)
Потужність, W: 0,6 W
Ємність, pF: 390 pF
Розмір: 14D
у наявності: 564 шт
451 шт - склад
33 шт - РАДІОМАГ-Київ
25 шт - РАДІОМАГ-Львів
24 шт - РАДІОМАГ-Харків
31 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
33 шт - РАДІОМАГ-Київ
25 шт - РАДІОМАГ-Львів
24 шт - РАДІОМАГ-Харків
31 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 9.00 грн |
| 10+ | 8.00 грн |
| 100+ | 7.20 грн |
| 1000+ | 6.50 грн |
| 6,8 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-6R8-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1840
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 6,8 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 6,8 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 1111 шт
1110 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 0.25 грн |
| 1000+ | 0.18 грн |
| 10000+ | 0.14 грн |