Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STD3NK90ZT4

STD3NK90ZT4

en.CD00003170.pdf
Код товару: 88372
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD3NK90ZT4

  • MOSFET N CH 900V 3A DPAK
  • Transistor Polarity:N Channel
  • On State Resistance:4.1ohm
  • Operating Temperature Range:-55`C to +150`C
  • Case Style:DPAK
  • Cont Current Id:1.5A
  • Termination Type:SMD
  • Transistor Type:Power MOSFET
  • Typ Voltage Vds:900V
  • Typ Voltage Vgs th:3.75V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Інші пропозиції STD3NK90ZT4 за ціною від 52.72 грн до 201.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STD3NK90ZT4 STD3NK90ZT4 STMicroelectronics std3nk90zt4.pdf description Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+75.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK90ZT4 STD3NK90ZT4 STMicroelectronics std3nk90zt4.pdf description Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+75.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK90ZT4 STD3NK90ZT4 STMicroelectronics std3nk90zt4.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3A; 12W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3A
Power dissipation: 12W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5470 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+194.65 грн
5+135.56 грн
10+118.82 грн
100+79.49 грн
500+64.43 грн
1000+60.25 грн
2500+55.23 грн
5000+52.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK90ZT4 STD3NK90ZT4 STMicroelectronics en.CD00003170.pdf description Description: MOSFET N-CH 900V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.77 грн
10+125.24 грн
100+86.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK90ZT4 STD3NK90ZT4 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0006332150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: STMICROELECTRONICS - STD3NK90ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.5 A, 4.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 90W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.1ohm
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK90ZT4 STD3NK90ZT4 STMicroelectronics en.CD00003170.pdf description MOSFETs N-Ch 900 Volt 3.0Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK90ZT4 STD3NK90ZT4 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0006332150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: STMICROELECTRONICS - STD3NK90ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.5 A, 4.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK90ZT4 description std3nk90zt4.pdf
STD3NK90ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+75.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK90ZT4 description std3nk90zt4.pdf
STD3NK90ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+75.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK90ZT4 description std3nk90zt4.pdf
STD3NK90ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3A; 12W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3A
Power dissipation: 12W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5470 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+194.65 грн
5+135.56 грн
10+118.82 грн
100+79.49 грн
500+64.43 грн
1000+60.25 грн
2500+55.23 грн
5000+52.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK90ZT4 description en.CD00003170.pdf
STD3NK90ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+201.77 грн
10+125.24 грн
100+86.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK90ZT4 description SGST-S-A0006332150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STD3NK90ZT4
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD3NK90ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.5 A, 4.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 90W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.1ohm
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK90ZT4 description en.CD00003170.pdf
STD3NK90ZT4
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 900 Volt 3.0Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD3NK90ZT4 description SGST-S-A0006332150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STD3NK90ZT4
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD3NK90ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.5 A, 4.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.