STD40NF10

STD40NF10 STMicroelectronics


812024581371039cd00291761.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+31.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD40NF10 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 100V 50A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V.

Інші пропозиції STD40NF10 за ціною від 38.33 грн до 166.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD40NF10 STD40NF10 Виробник : STMicroelectronics en.CD00291761.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+40.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD40NF10 STD40NF10 Виробник : STMicroelectronics en.CD00291761.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
на замовлення 12786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.80 грн
10+93.41 грн
100+63.20 грн
500+47.19 грн
1000+44.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD40NF10 STD40NF10 Виробник : STMicroelectronics en.CD00291761.pdf MOSFETs AC Pwr switch
на замовлення 2772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+166.50 грн
10+104.85 грн
100+61.60 грн
500+48.92 грн
1000+45.51 грн
2500+39.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD40NF10 Виробник : STMicroelectronics en.CD00291761.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 50A; 125W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 62nC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+38.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD40NF10 en.CD00291761.pdf
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD40NF10 Виробник : STMicroelectronics 812024581371039cd00291761.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD40NF10 Виробник : STMicroelectronics en.CD00291761.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 125W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 62nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.