Продукція > STMICROELECTRONICS > STD40P8F6AG
STD40P8F6AG

STD40P8F6AG STMICROELECTRONICS

std40p8f6ag.pdf Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD40P8F6AG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: STripFET F6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0185ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+126.48 грн
50+108.65 грн
100+90.83 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD40P8F6AG STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STD40P8F6AG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: STripFET F6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0185ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції STD40P8F6AG за ціною від 43.06 грн до 174.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD40P8F6AG STD40P8F6AG Виробник : STMicroelectronics std40p8f6ag.pdf MOSFETs Automotive-grade P-channel -80 V, 18.5 mOhm typ., -40 A STripFET F6 Power MOSFET
на замовлення 7838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+174.80 грн
10+110.51 грн
100+65.76 грн
500+52.29 грн
1000+49.26 грн
2500+43.43 грн
5000+43.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD40P8F6AG STD40P8F6AG Виробник : STMicroelectronics std40p8f6ag.pdf Description: MOSFET P-CH 80V DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4112 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD40P8F6AG STD40P8F6AG Виробник : STMicroelectronics std40p8f6ag.pdf Description: MOSFET P-CH 80V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4112 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.