Продукція > STMICROELECTRONICS > STD45N10F7
STD45N10F7

STD45N10F7 STMicroelectronics

en.DM00081278.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 45A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+39.84 грн
5000+35.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD45N10F7 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD45N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0145 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET F7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STD45N10F7 за ціною від 40.35 грн до 129.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STD45N10F7 STD45N10F7 STMicroelectronics en.DM00081278.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 45A DPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.62 грн
10+84.65 грн
100+58.18 грн
500+42.72 грн
1000+40.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD45N10F7 STD45N10F7 STMicroelectronics en.DM00081278.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 32A; Idm: 180A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: STripFET™ F7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 18mΩ
Drain current: 32A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 60W
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 180A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1787 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+129.77 грн
5+95.39 грн
10+83.68 грн
25+69.45 грн
50+60.25 грн
100+52.72 грн
500+50.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD45N10F7 STD45N10F7 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0003112167-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STD45N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0145 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD45N10F7 STD45N10F7 STMICROELECTRONICS en.DM00081278.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD45N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0145 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD45N10F7 en.DM00081278.pdf
STD45N10F7
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 45A DPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+112.62 грн
10+84.65 грн
100+58.18 грн
500+42.72 грн
1000+40.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD45N10F7 en.DM00081278.pdf
STD45N10F7
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 32A; Idm: 180A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: STripFET™ F7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 18mΩ
Drain current: 32A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 60W
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 180A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1787 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+129.77 грн
5+95.39 грн
10+83.68 грн
25+69.45 грн
50+60.25 грн
100+52.72 грн
500+50.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD45N10F7 SGST-S-A0003112167-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
STD45N10F7
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD45N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0145 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD45N10F7 en.DM00081278.pdf
STD45N10F7
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD45N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0145 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.