Продукція > STMICROELECTRONICS > STD45N10F7
STD45N10F7

STD45N10F7 STMicroelectronics

en.DM00081278.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 45A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.98 грн
5000+37.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD45N10F7 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD45N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0145 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET F7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STD45N10F7 за ціною від 39.63 грн до 141.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD45N10F7 STD45N10F7 Виробник : STMicroelectronics 2207163475694727dm0008.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+46.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD45N10F7 STD45N10F7 Виробник : STMICROELECTRONICS en.DM00081278.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD45N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0145 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+74.10 грн
500+52.46 грн
1000+42.42 грн
5000+39.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STD45N10F7 STD45N10F7 Виробник : STMicroelectronics en.DM00081278.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 45A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 50 V
на замовлення 5310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.67 грн
10+89.20 грн
100+61.31 грн
500+45.01 грн
1000+42.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD45N10F7 STD45N10F7 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0003112167-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STD45N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0145 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+119.65 грн
10+93.16 грн
100+68.03 грн
500+47.78 грн
1000+41.17 грн
5000+39.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
STD45N10F7 STD45N10F7 Виробник : STMicroelectronics std45n10f7-1850471.pdf MOSFETs Nchanl 100V 0013 Ohm typ 45 A Pwr MOSFET
на замовлення 3366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.33 грн
10+94.62 грн
100+58.13 грн
500+47.31 грн
1000+43.81 грн
2500+41.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD45N10F7 Виробник : STMicroelectronics en.DM00081278.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 32A; Idm: 180A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.83 грн
10+83.33 грн
18+52.38 грн
50+49.20 грн
500+47.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STD45N10F7 Виробник : STMicroelectronics en.DM00081278.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 32A; Idm: 180A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.20 грн
10+103.84 грн
18+62.85 грн
50+59.04 грн
500+57.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD45N10F7 Виробник : STMicroelectronics 2207163475694727dm0008.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD45N10F7 STD45N10F7 Виробник : STMicroelectronics 2207163475694727dm0008.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD45N10F7 STD45N10F7 Виробник : STMicroelectronics 2207163475694727dm0008.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.