STD45P4LLF6AG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET Automotive-grade P-channel -40 V, 12 mOhm typ -50 A STripFET F6 Power MOSFET
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 139.05 грн |
| 10+ | 124.24 грн |
| 25+ | 101.76 грн |
| 100+ | 86.43 грн |
| 500+ | 71.09 грн |
| 1000+ | 59.03 грн |
| 2500+ | 58.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD45P4LLF6AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD45P4LLF6AG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 58W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET F6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STD45P4LLF6AG за ціною від 39.52 грн до 147.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD45P4LLF6AG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD45P4LLF6AG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 58W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET F6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STD45P4LLF6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET P-CH 40V 50A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3525 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±18V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
на замовлення 1448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STD45P4LLF6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET P-CH 40V 50A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3525 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±18V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount |
товару немає в наявності |