Продукція > STMICROELECTRONICS > STD45P4LLF6AG
STD45P4LLF6AG

STD45P4LLF6AG STMICROELECTRONICS

STD45P4LLFAG.pdf
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD45P4LLF6AG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 58W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 58W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 2315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+73.16 грн
500+56.61 грн
1000+48.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD45P4LLF6AG STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STD45P4LLF6AG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 58W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 58W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET F6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm.

Інші пропозиції STD45P4LLF6AG за ціною від 41.99 грн до 182.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STD45P4LLF6AG STD45P4LLF6AG STMicroelectronics std45p4llf6ag-1850405.pdf MOSFET Automotive-grade P-channel -40 V, 12 mOhm typ -50 A STripFET F6 Power MOSFET
на замовлення 20079 шт:
термін постачання 789-798 дні (днів)
3+139.00 грн
10+124.19 грн
25+101.72 грн
100+86.39 грн
500+71.07 грн
1000+59.01 грн
2500+58.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD45P4LLF6AG STD45P4LLF6AG STMicroelectronics STD45P4LLFAG.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3525 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
на замовлення 1448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.36 грн
10+90.80 грн
100+61.38 грн
500+45.79 грн
1000+41.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD45P4LLF6AG STD45P4LLF6AG STMICROELECTRONICS STD45P4LLFAG.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD45P4LLF6AG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 58W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 2315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.89 грн
10+117.86 грн
100+73.16 грн
500+56.61 грн
1000+48.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD45P4LLF6AG std45p4llf6ag-1850405.pdf
STD45P4LLF6AG
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET Automotive-grade P-channel -40 V, 12 mOhm typ -50 A STripFET F6 Power MOSFET
на замовлення 20079 шт:
термін постачання 789-798 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+139.00 грн
10+124.19 грн
25+101.72 грн
100+86.39 грн
500+71.07 грн
1000+59.01 грн
2500+58.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD45P4LLF6AG STD45P4LLFAG.pdf
STD45P4LLF6AG
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 40V 50A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3525 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
на замовлення 1448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+147.36 грн
10+90.80 грн
100+61.38 грн
500+45.79 грн
1000+41.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD45P4LLF6AG STD45P4LLFAG.pdf
STD45P4LLF6AG
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD45P4LLF6AG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 58W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 2315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+182.89 грн
10+117.86 грн
100+73.16 грн
500+56.61 грн
1000+48.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.