Продукція > STMICROELECTRONICS > STD4N62K3
STD4N62K3

STD4N62K3 STMicroelectronics

en.CD00294255.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 620V 3.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+58.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD4N62K3 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 620V 3.8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 1.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 50 V.

Інші пропозиції STD4N62K3 за ціною від 54.96 грн до 198.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD4N62K3 STD4N62K3 Виробник : STMicroelectronics en.CD00294255.pdf Description: MOSFET N-CH 620V 3.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 50 V
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.31 грн
10+122.30 грн
100+83.92 грн
500+63.34 грн
1000+58.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD4N62K3 STD4N62K3 Виробник : STMicroelectronics en.CD00294255.pdf MOSFETs N-Ch 620V 1.8 ohm 3.8 A SuperMESH3
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.86 грн
10+134.65 грн
100+80.45 грн
500+64.52 грн
1000+59.50 грн
2500+54.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD4N62K3 STD4N62K3 Виробник : STMicroelectronics 1511677776515539cd002.pdf Trans MOSFET N-CH 620V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD4N62K3 Виробник : STMicroelectronics 1511677776515539cd002.pdf Trans MOSFET N-CH 620V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.