Продукція > STMICROELECTRONICS > STD4N62K3
STD4N62K3

STD4N62K3 STMicroelectronics

en.CD00294255.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 620V 3.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+55.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD4N62K3 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 620V 3.8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 1.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 50 V.

Інші пропозиції STD4N62K3 за ціною від 52.21 грн до 188.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD4N62K3 STD4N62K3 Виробник : STMicroelectronics en.CD00294255.pdf Description: MOSFET N-CH 620V 3.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 50 V
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.62 грн
10+116.18 грн
100+79.72 грн
500+60.17 грн
1000+55.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD4N62K3 STD4N62K3 Виробник : STMicroelectronics en.CD00294255.pdf MOSFETs N-Ch 620V 1.8 ohm 3.8 A SuperMESH3
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.92 грн
10+127.92 грн
100+76.43 грн
500+61.29 грн
1000+56.52 грн
2500+52.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD4N62K3 STD4N62K3 Виробник : STMicroelectronics 1511677776515539cd002.pdf Trans MOSFET N-CH 620V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD4N62K3 Виробник : STMicroelectronics 1511677776515539cd002.pdf Trans MOSFET N-CH 620V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD4N62K3 STD4N62K3 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E95A3DC85EE745&compId=STD4N62K3.pdf?ci_sign=6dfa425ea571eea9705ad043b988cf974ef7f395 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 2A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Drain-source voltage: 620V
Drain current: 2A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.