STD4N90K5 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 173 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 51.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD4N90K5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 3A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 173 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STD4N90K5 за ціною від 49.25 грн до 137.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STD4N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 900V 3A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 173 pF @ 100 V |
на замовлення 4279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD4N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ 3 A MDmesh K5 Power MOSFET |
на замовлення 4266 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD4N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STD4N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| STD4N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3A; Idm: 12A; 60W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 3A Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 60W Gate charge: 5.3nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| STD4N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3A; Idm: 12A; 60W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 3A Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 60W Gate charge: 5.3nC |
товару немає в наявності |