Продукція > STMICROELECTRONICS > STD4N90K5
STD4N90K5

STD4N90K5 STMicroelectronics

en.DM00339980.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 173 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+50.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD4N90K5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 900V 3A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 173 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STD4N90K5 за ціною від 50.55 грн до 173.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STD4N90K5 STD4N90K5 STMicroelectronics en.DM00339980.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 173 pF @ 100 V
на замовлення 3847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.22 грн
10+107.18 грн
100+73.11 грн
500+54.95 грн
1000+50.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD4N90K5 STD4N90K5 STMicroelectronics en.DM00339980.pdf MOSFETs N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 3534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD4N90K5 en.DM00339980.pdf
STD4N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 173 pF @ 100 V
на замовлення 3847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+173.22 грн
10+107.18 грн
100+73.11 грн
500+54.95 грн
1000+50.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD4N90K5 en.DM00339980.pdf
STD4N90K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 3534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.