STD4NK100Z STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1000V 2.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 71.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD4NK100Z STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD4NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 2.2 A, 5.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 90W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperMESH, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 5.6ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.6ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STD4NK100Z за ціною від 72.57 грн до 219.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD4NK100Z | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD4NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 2.2 A, 5.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 90W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperMESH productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 5.6ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STD4NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 2.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STD4NK100Z | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD4NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 2.2 A, 5.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperMESH productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STD4NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs Automotive-grade N-channel 1000 V, 5.6 Ohm typ 2.2 A SuperMESH Power MOSFET |
на замовлення 9953 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STD4NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1000V 2.2A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STD4NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 2.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STD4NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 2.2A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
STD4NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 2.2A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
STD4NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 2.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STD4NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1A; Idm: 8.8A; 90W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 1A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 6.8Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Pulsed drain current: 8.8A кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| STD4NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1A; Idm: 8.8A; 90W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 1A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 6.8Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Pulsed drain current: 8.8A |
товару немає в наявності |