STD4NK50Z-1
Виробник: STTransistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 2,7Ohm; 3A; 45W; -55°C ~ 150°C; STD4NK50Z-1 TSTD4NK50Z-1
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 18.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD4NK50Z-1 ST
Description: MOSFET N-CH 500V 3A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: IPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STD4NK50Z-1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| STD4NK50Z1 | Виробник : ST |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
|
STD4NK50Z-1 Код товару: 39125
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||
 |
STD4NK50Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
|
| STD4NK50Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
||
 |
STD4NK50Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.9A; 45W; IPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 1.9A Power dissipation: 45W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.7Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
STD4NK50Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 3A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
STD4NK50Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch, 500V-2.4ohms Zener SuperMESH 3A |
товару немає в наявності |
|
|
|
STD4NK50Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.9A; 45W; IPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 1.9A Power dissipation: 45W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.7Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |