Інші пропозиції STD4NK60ZT4 за ціною від 23.32 грн до 43.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STD4NK60ZT4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
STD4NK60ZT4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
STD4NK60ZT4 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH |
на замовлення 1298 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
STD4NK60ZT4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD4NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 70W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm |
на замовлення 385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
STD4NK60ZT4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD4NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 70W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 88 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| STD4NK60ZT4 | ST |
N-Channel Power Mosfet smd 4A 600V RDS=2,0 STD4NK60ZT4 D-PAK TSTD4NK60zt4кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| STD4NK60ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 43.59 грн |
| STD4NK60ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 324+ | 43.59 грн |
| STD4NK60ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH
MOSFETs N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STD4NK60ZT4 |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD4NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STD4NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STD4NK60ZT4 |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD4NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STD4NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STD4NK60ZT4 |
![]() |
Виробник: ST
N-Channel Power Mosfet smd 4A 600V RDS=2,0 STD4NK60ZT4 D-PAK TSTD4NK60zt4
кількість в упаковці: 10 шт
N-Channel Power Mosfet smd 4A 600V RDS=2,0 STD4NK60ZT4 D-PAK TSTD4NK60zt4
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 23.32 грн |





