Інші пропозиції STD4NK60ZT4 за ціною від 23.53 грн до 148.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD4NK60ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD4NK60ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD4NK60ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD4NK60ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD4NK60ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD4NK60ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STD4NK60ZT4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD4NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STD4NK60ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH |
на замовлення 1390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD4NK60ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD4NK60ZT4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD4NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STD4NK60ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V |
на замовлення 1303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STD4NK60ZT4 | Виробник : ST |
N-Channel Power Mosfet smd 4A 600V RDS=2,0 STD4NK60ZT4 D-PAK TSTD4NK60zt4 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
STD4NK60ZT4 | Виробник : STM |
N-Ch 600B 4A DPak Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
STD4NK60ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |