
STD4NK80Z-1 STMicroelectronics
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 58.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD4NK80Z-1 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 3A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 80W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: TO-251 (IPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STD4NK80Z-1 за ціною від 58.57 грн до 96.75 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STD4NK80Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STD4NK80Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1469 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STD4NK80Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
STD4NK80Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
STD4NK80Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |