STD4NK80ZT4 STMicroelectronics
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 28.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD4NK80ZT4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD4NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STD4NK80ZT4 за ціною від 30.88 грн до 227.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD4NK80ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD4NK80ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STD4NK80ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD4NK80ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD4NK80ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STD4NK80ZT4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD4NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD4NK80ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 3A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V |
на замовлення 3184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD4NK80ZT4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD4NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STD4NK80ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 800 Volt 3.0Amp Zener SuperMESH |
на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STD4NK80ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
STD4NK80ZT4 SMD N channel transistors |
на замовлення 1980 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STD4NK80ZT4 Код товару: 150881
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
|
STD4NK80ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STD4NK80ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |