STD5N20LT4 STMicroelectronics


en.CD00043538.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242 pF @ 25 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+23.25 грн
5000+20.68 грн
7500+19.82 грн
12500+17.68 грн
17500+17.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD5N20LT4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD5N20LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.5 A, 0.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 33W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm.

Інші пропозиції STD5N20LT4 за ціною від 23.59 грн до 107.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STD5N20LT4 STD5N20LT4 STMicroelectronics en.CD00043538.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242 pF @ 25 V
на замовлення 23221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.16 грн
10+53.92 грн
100+35.58 грн
500+25.98 грн
1000+23.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N20LT4 STD5N20LT4 STMicroelectronics 21498064608724cd00043538.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+95.68 грн
149+94.76 грн
192+73.63 грн
250+70.28 грн
500+53.42 грн
1000+42.62 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N20LT4 STD5N20LT4 STMicroelectronics 21498064608724cd00043538.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+107.71 грн
10+95.68 грн
25+94.76 грн
100+71.00 грн
250+65.07 грн
500+51.28 грн
1000+42.62 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N20LT4 STD5N20LT4 STMicroelectronics en.CD00043538.pdf MOSFETs N-Ch 200 Volt 5 Amp
на замовлення 8360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N20LT4 STD5N20LT4 STMICROELECTRONICS SGSTS30287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD5N20LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.5 A, 0.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 33W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N20LT4 STD5N20LT4 STMICROELECTRONICS SGSTS30287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD5N20LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.5 A, 0.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N20LT4 en.CD00043538.pdf
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N20LT4 en.CD00043538.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242 pF @ 25 V
на замовлення 23221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+89.16 грн
10+53.92 грн
100+35.58 грн
500+25.98 грн
1000+23.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N20LT4 21498064608724cd00043538.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
148+95.68 грн
149+94.76 грн
192+73.63 грн
250+70.28 грн
500+53.42 грн
1000+42.62 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N20LT4 21498064608724cd00043538.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+107.71 грн
10+95.68 грн
25+94.76 грн
100+71.00 грн
250+65.07 грн
500+51.28 грн
1000+42.62 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N20LT4 en.CD00043538.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 200 Volt 5 Amp
на замовлення 8360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N20LT4 SGSTS30287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD5N20LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.5 A, 0.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 33W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N20LT4 SGSTS30287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD5N20LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.5 A, 0.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N20LT4 en.CD00043538.pdf
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.