STD5N20LT4

STD5N20LT4 STMicroelectronics


en.CD00043538.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD5N20LT4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD5N20LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.5 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції STD5N20LT4 за ціною від 23.25 грн до 122.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD5N20LT4 STD5N20LT4 Виробник : STMICROELECTRONICS SGSTS30287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD5N20LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.5 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+52.57 грн
500+44.52 грн
1000+37.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N20LT4 STD5N20LT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00043538.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242 pF @ 25 V
на замовлення 8361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.31 грн
10+61.69 грн
100+40.88 грн
500+29.98 грн
1000+27.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N20LT4 STD5N20LT4 Виробник : STMicroelectronics std5n20l-1850523.pdf MOSFETs N-Ch 200 Volt 5 Amp
на замовлення 7596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.00 грн
10+68.70 грн
100+40.02 грн
500+31.49 грн
1000+28.62 грн
2500+25.53 грн
5000+23.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N20LT4 STD5N20LT4 Виробник : STMICROELECTRONICS SGSTS30287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD5N20LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.5 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+122.97 грн
50+78.40 грн
100+52.57 грн
500+44.52 грн
1000+37.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N20LT4 en.CD00043538.pdf
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N20LT4 STD5N20LT4 Виробник : STMicroelectronics 21498064608724cd00043538.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.