STD5N52U STMicroelectronics
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 36.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD5N52U STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD5N52U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 525 V, 4.4 A, 1.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 525V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STD5N52U за ціною від 28.30 грн до 96.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD5N52U | Виробник : STMicroelectronics |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 4.4A; Idm: 17.6A; 70W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 525V Drain current: 4.4A Pulsed drain current: 17.6A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 16.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2349 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD5N52U | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 25 V |
на замовлення 2485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD5N52U | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 525 V 4.4 A DPAK TO-220F |
на замовлення 4965 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD5N52U | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 4.4A; Idm: 17.6A; 70W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 525V Drain current: 4.4A Pulsed drain current: 17.6A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 16.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2349 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD5N52U | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD5N52U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 525 V, 4.4 A, 1.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 525V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STD5N52U |
|
на замовлення 49 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| STD5N52U | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 525V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
STD5N52U | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 525V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
STD5N52U | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 525V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
STD5N52U | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |