STD5N60DM2 STMicroelectronics
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 23.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD5N60DM2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD5N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STD5N60DM2 за ціною від 21.94 грн до 54.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STD5N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 3.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STD5N60DM2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD5N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STD5N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 1.75A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 100 V |
на замовлення 536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD5N60DM2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD5N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STD5N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 1.38 Ohm typ 3.5 A MDmesh DM2 Power MOSFET |
на замовлення 2165 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD5N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 3.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STD5N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 3.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STD5N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 3.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
STD5N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 3.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
STD5N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 3.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
STD5N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 3.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
STD5N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 3.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STD5N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; Idm: 14A; 45W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.5A Pulsed drain current: 14A Power dissipation: 45W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.55Ω Mounting: SMD Gate charge: 5.3nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
STD5N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 1.75A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STD5N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; Idm: 14A; 45W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.5A Pulsed drain current: 14A Power dissipation: 45W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.55Ω Mounting: SMD Gate charge: 5.3nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |