
STD5N60M2 STMicroelectronics

MOSFETs N-channel 600 V, 1.3 Ohm typ 3.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
на замовлення 4280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 98.70 грн |
10+ | 76.82 грн |
100+ | 46.86 грн |
500+ | 37.89 грн |
1000+ | 34.94 грн |
2500+ | 32.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD5N60M2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STD5N60M2 за ціною від 37.32 грн до 133.70 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STD5N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 100 V |
на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STD5N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
STD5N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
STD5N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
STD5N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
STD5N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |