STD5N60M2

STD5N60M2 STMicroelectronics


std5n60m2-1850473.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 1.3 Ohm typ 3.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
на замовлення 4280 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.70 грн
10+76.82 грн
100+46.86 грн
500+37.89 грн
1000+34.94 грн
2500+32.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD5N60M2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STD5N60M2 за ціною від 37.32 грн до 133.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD5N60M2 STD5N60M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00096400.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 100 V
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.70 грн
10+82.07 грн
100+55.05 грн
500+40.81 грн
1000+37.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N60M2 STD5N60M2 Виробник : STMicroelectronics std5n60m2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 3.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N60M2 STD5N60M2 Виробник : STMicroelectronics std5n60m2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 3.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N60M2 Виробник : STMicroelectronics std5n60m2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 3.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N60M2 STD5N60M2 Виробник : STMicroelectronics std5n60m2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 3.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N60M2 STD5N60M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00096400.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.