Продукція > STMICROELECTRONICS > STD5N80K5
STD5N80K5

STD5N80K5 STMicroelectronics

en.DM00238446.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+52.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD5N80K5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 800V 4A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STD5N80K5 за ціною від 48.73 грн до 184.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD5N80K5 STD5N80K5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00238446.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177 pF @ 100 V
на замовлення 4416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+181.01 грн
10+112.00 грн
100+76.40 грн
500+57.40 грн
1000+52.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N80K5 STD5N80K5 Виробник : STMicroelectronics std5n80k5-1850555.pdf MOSFETs N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ 4 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 2122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.95 грн
10+122.38 грн
100+73.24 грн
500+57.91 грн
1000+53.28 грн
2500+48.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N80K5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00238446.pdf STD5N80K5 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.