STD5N95K3 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 950V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 254.17 грн |
| 10+ | 160.11 грн |
| 100+ | 112.08 грн |
| 500+ | 92.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD5N95K3 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD5N95K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STD5N95K3 за ціною від 123.54 грн до 301.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD5N95K3 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD5N95K3 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STD5N95K3 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD5N95K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
STD5N95K3 | STMicroelectronics |
MOSFETs 950 VDSS <3.5 RDS 4A ID 90W Pw |
на замовлення 6491 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STD5N95K3 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 301.53 грн |
| 10+ | 271.14 грн |
| 25+ | 252.60 грн |
| 100+ | 203.85 грн |
| 250+ | 188.24 грн |
| 500+ | 149.67 грн |
| 1000+ | 123.54 грн |
| STD5N95K3 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 47+ | 301.53 грн |
| 53+ | 271.14 грн |
| 56+ | 252.60 грн |
| 100+ | 203.85 грн |
| 250+ | 188.24 грн |
| 500+ | 149.67 грн |
| 1000+ | 123.54 грн |
| STD5N95K3 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD5N95K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STD5N95K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STD5N95K3 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs 950 VDSS <3.5 RDS 4A ID 90W Pw
MOSFETs 950 VDSS <3.5 RDS 4A ID 90W Pw
на замовлення 6491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)