STD5NK40Z-1 STMicroelectronics
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 376+ | 37.59 грн |
| 398+ | 35.54 грн |
| 421+ | 33.60 грн |
| 525+ | 30.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD5NK40Z-1 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD5NK40Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3 A, 1.47 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, Verlustleistung: 45W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.47ohm.
Інші пропозиції STD5NK40Z-1 за ціною від 27.67 грн до 157.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STD5NK40Z-1 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 400V 3A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 10115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STD5NK40Z-1 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.9A; 45W; I2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 1.9A Power dissipation: 45W Case: I2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 103 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STD5NK40Z-1 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 400V 3A IPAK Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole |
на замовлення 2831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STD5NK40Z-1 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 400 Volt 3.0 A |
на замовлення 820 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
STD5NK40Z-1 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD5NK40Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3 A, 1.47 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V Verlustleistung: 45W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.47ohm |
на замовлення 5604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STD5NK40Z-1 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 400V 3A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 400V 3A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 10115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 43.13 грн |
| 21+ | 37.27 грн |
| 75+ | 35.24 грн |
| 150+ | 32.12 грн |
| 525+ | 27.67 грн |
| STD5NK40Z-1 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.9A; 45W; I2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 45W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.9A; 45W; I2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 45W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 145.86 грн |
| 10+ | 69.58 грн |
| 75+ | 54.77 грн |
| STD5NK40Z-1 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 400V 3A IPAK
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Description: MOSFET N-CH 400V 3A IPAK
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 2831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 157.44 грн |
| 10+ | 97.06 грн |
| 75+ | 68.84 грн |
| 150+ | 58.15 грн |
| 525+ | 48.95 грн |
| STD5NK40Z-1 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 400 Volt 3.0 A
MOSFETs N-Ch 400 Volt 3.0 A
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STD5NK40Z-1 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD5NK40Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3 A, 1.47 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.47ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STD5NK40Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3 A, 1.47 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.47ohm
на замовлення 5604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)