Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STD5NM50AG

STD5NM50AG

STD5NM50AG.pdf
Код товару: 176283
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STD5NM50AG за ціною від 56.53 грн до 143.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STD5NM50AG STD5NM50AG STMicroelectronics STD5NM50AG.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 7.5A DPAK
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM50AG STD5NM50AG STMicroelectronics std5nm50ag.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+72.60 грн
5000+71.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM50AG STD5NM50AG STMicroelectronics std5nm50ag.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+73.07 грн
5000+72.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM50AG STD5NM50AG STMicroelectronics std5nm50ag.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+116.66 грн
130+109.13 грн
170+83.07 грн
200+75.93 грн
500+60.48 грн
1000+56.53 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM50AG STD5NM50AG STMicroelectronics STD5NM50AG.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 7.5A DPAK
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 2909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.12 грн
10+110.56 грн
100+79.10 грн
500+63.36 грн
1000+58.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM50AG STD5NM50AG STMicroelectronics STD5NM50AG.pdf MOSFETs Automotive-grade N-channel 500 V, 700 mOhm typ., 7.5 A MDmesh Power MOSFET in a
на замовлення 5579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM50AG STD5NM50AG STMICROELECTRONICS SGST-S-A0008000090-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STD5NM50AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.5 A, 0.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM50AG STD5NM50AG STMICROELECTRONICS SGST-S-A0008000090-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STD5NM50AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.5 A, 0.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM50AG STD5NM50AG.pdf
STD5NM50AG
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 7.5A DPAK
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+58.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM50AG std5nm50ag.pdf
STD5NM50AG
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 7.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+72.60 грн
5000+71.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM50AG std5nm50ag.pdf
STD5NM50AG
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 7.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+73.07 грн
5000+72.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM50AG std5nm50ag.pdf
STD5NM50AG
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 7.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
121+116.66 грн
130+109.13 грн
170+83.07 грн
200+75.93 грн
500+60.48 грн
1000+56.53 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM50AG STD5NM50AG.pdf
STD5NM50AG
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 7.5A DPAK
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 2909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+143.12 грн
10+110.56 грн
100+79.10 грн
500+63.36 грн
1000+58.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM50AG STD5NM50AG.pdf
STD5NM50AG
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive-grade N-channel 500 V, 700 mOhm typ., 7.5 A MDmesh Power MOSFET in a
на замовлення 5579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM50AG SGST-S-A0008000090-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
STD5NM50AG
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD5NM50AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.5 A, 0.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM50AG SGST-S-A0008000090-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
STD5NM50AG
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD5NM50AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.5 A, 0.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.