Продукція > STMICROELECTRONICS > STD5NM60-1
STD5NM60-1

STD5NM60-1 STMicroelectronics

std5nm60.pdf Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.1A; Idm: 20A; 96W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.1A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 96W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+74.7 грн
6+ 62.43 грн
10+ 56.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD5NM60-1 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 5A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: I-PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V.

Інші пропозиції STD5NM60-1 за ціною від 56.6 грн до 198.1 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STD5NM60-1 STD5NM60-1 Виробник : STMicroelectronics std5nm60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.1A; Idm: 20A; 96W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.1A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 96W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+89.65 грн
4+ 77.8 грн
10+ 67.43 грн
16+ 62.43 грн
25+ 59.1 грн
43+ 58.27 грн
150+ 56.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD5NM60-1 STD5NM60-1 Виробник : STMicroelectronics en.CD00002085.pdf MOSFET N-Ch 600 Volt 5 Amp
на замовлення 2077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+191.12 грн
10+ 157.76 грн
100+ 110.55 грн
250+ 100.56 грн
500+ 91.23 грн
1000+ 75.25 грн
3000+ 71.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD5NM60-1 STD5NM60-1 Виробник : STMicroelectronics en.CD00002085.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+198.1 грн
10+ 171.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD5NM60-1 STD5NM60-1 Виробник : STMicroelectronics cd0000208.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній