
STD5NM60T4 STMicroelectronics
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 29.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD5NM60T4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD5NM60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STD5NM60T4 за ціною від 38.10 грн до 174.26 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STD5NM60T4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STD5NM60T4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STD5NM60T4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STD5NM60T4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STD5NM60T4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STD5NM60T4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STD5NM60T4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STD5NM60T4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STD5NM60T4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2085 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STD5NM60T4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V |
на замовлення 8044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
STD5NM60T4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STD5NM60T4 | Виробник : ST |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 85 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STD5NM60T4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 986 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
STD5NM60T4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.1A; 96W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.1A Power dissipation: 96W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
STD5NM60T4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
STD5NM60T4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
STD5NM60T4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
STD5NM60T4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.1A; 96W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.1A Power dissipation: 96W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |