STD5NM60T4

STD5NM60T4 STMicroelectronics


cd0000208.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD5NM60T4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD5NM60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STD5NM60T4 за ціною від 36.56 грн до 108.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD5NM60T4 STD5NM60T4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00002085.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+65.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60T4 STD5NM60T4 Виробник : STMicroelectronics cd0000208.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+76.14 грн
10000+75.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60T4 STD5NM60T4 Виробник : STMicroelectronics cd0000208.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+76.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60T4 STD5NM60T4 Виробник : STMicroelectronics cd0000208.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+81.58 грн
10000+80.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60T4 STD5NM60T4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00002085.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 7055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.86 грн
10+76.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60T4 STD5NM60T4 Виробник : STMicroelectronics cd0000208.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
143+86.34 грн
145+85.01 грн
148+83.68 грн
150+79.40 грн
250+72.33 грн
500+68.29 грн
1000+67.15 грн
Мінімальне замовлення: 143
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60T4 STD5NM60T4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00002085.pdf MOSFETs N-Ch 600 Volt 5 Amp
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+86.90 грн
10+81.90 грн
100+69.32 грн
1000+68.63 грн
2500+63.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60T4 STD5NM60T4 Виробник : STMICROELECTRONICS SGSTS35689-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD5NM60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+88.67 грн
500+81.55 грн
1000+73.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60T4 STD5NM60T4 Виробник : STMicroelectronics cd0000208.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+92.50 грн
10+91.08 грн
25+89.65 грн
100+85.08 грн
250+77.49 грн
500+73.17 грн
1000+71.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60T4 STD5NM60T4 Виробник : STMICROELECTRONICS SGSTS35689-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD5NM60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+108.28 грн
10+96.35 грн
100+88.67 грн
500+81.55 грн
1000+73.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60T4 Виробник : ST en.CD00002085.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 5A; 96W; -55°C ~ 150°C; STD5NM60T4 TSTD5NM60t4
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+36.56 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60T4 Виробник : STMicroelectronics cd0000208.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+39.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60T4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00002085.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 600; Id = 5 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 400 @ 25; Qg, нКл = 18 @ 10 В; Rds = 1 Ом @ 2,5 А, 10 В; Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 96; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; DPAK-3
на замовлення 986 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60T4 STD5NM60T4 Виробник : STMicroelectronics cd00002085.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60T4 STD5NM60T4 Виробник : STMicroelectronics cd0000208.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60T4 STD5NM60T4 Виробник : STMicroelectronics cd00002085.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD5NM60T4 STD5NM60T4 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A6289D4B40D2&compId=std5nm60.pdf?ci_sign=05dcb1841ba1f85ee7a206e102e9e66971cb6105 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.1A; 96W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 96W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.