STD60NF55LAT4 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 51.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD60NF55LAT4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD60NF55LAT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 60 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET II, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STD60NF55LAT4 за ціною від 44.05 грн до 174.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD60NF55LAT4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD60NF55LAT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 60 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET II productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD60NF55LAT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 55V 60A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD60NF55LAT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 55V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD60NF55LAT4 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 55 V, 12 mOhm, 60 A STripFET II Power MOSFET in a DPAK package |
на замовлення 3784 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD60NF55LAT4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD60NF55LAT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 60 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET II productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STD60NF55LAT4 |
|
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
STD60NF55LAT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 55V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
STD60NF55LAT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 55V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
STD60NF55LAT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 55V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STD60NF55LAT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 55V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |