Продукція > STMICROELECTRONICS > STD65N160M9
STD65N160M9

STD65N160M9 STMicroelectronics

std65n160m9.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 132 mOhm typ., 17 A MDmesh M9 Power MOSFET
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.49 грн
10+180.06 грн
100+112.49 грн
500+96.53 грн
2500+81.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD65N160M9 STMicroelectronics

Description: N-CHANNEL 650 V, 132 MOHM TYP.,, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 106W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 400 V.

Інші пропозиції STD65N160M9 за ціною від 274.02 грн до 317.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD65N160M9 STD65N160M9 Виробник : STMicroelectronics std65n160m9.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+274.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD65N160M9 STD65N160M9 Виробник : STMicroelectronics std65n160m9.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+288.50 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
STD65N160M9 STD65N160M9 Виробник : STMicroelectronics std65n160m9.pdf Description: N-CHANNEL 650 V, 132 MOHM TYP.,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 400 V
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+317.36 грн
10+274.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD65N160M9 STD65N160M9 Виробник : STMicroelectronics std65n160m9.pdf Description: N-CHANNEL 650 V, 132 MOHM TYP.,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.