Технічний опис STD65N160M9 STMicroelectronics
Description: N-CHANNEL 650 V, 132 MOHM TYP.,, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: DPAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 106W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції STD65N160M9 за ціною від 261.40 грн до 330.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
.jpg "STD65N160M9") |
STD65N160M9 | STMicroelectronics |
 Description: N-CHANNEL 650 V, 132 MOHM TYP.,Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 106W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
STD65N160M9 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
STD65N160M9 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V, 132 mOhm typ., 17 A MDmesh M9 Power MOSFET |
на замовлення 955 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STD65N160M9 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: N-CHANNEL 650 V, 132 MOHM TYP.,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: N-CHANNEL 650 V, 132 MOHM TYP.,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 301.88 грн |
| 10+ | 261.40 грн |
| STD65N160M9 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 650V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 43+ | 330.50 грн |
| STD65N160M9 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 132 mOhm typ., 17 A MDmesh M9 Power MOSFET
MOSFETs N-channel 650 V, 132 mOhm typ., 17 A MDmesh M9 Power MOSFET
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)