Продукція > STMICROELECTRONICS > STD6N65M2
STD6N65M2

STD6N65M2 STMicroelectronics

en.DM00127825.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 226 pF @ 100 V
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.41 грн
10+63.53 грн
100+42.36 грн
500+31.16 грн
1000+28.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD6N65M2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 4A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 226 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STD6N65M2 за ціною від 23.68 грн до 105.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD6N65M2 STD6N65M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00127825.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
на замовлення 3192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.94 грн
10+69.01 грн
100+40.63 грн
500+32.01 грн
1000+29.13 грн
2500+26.03 грн
5000+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STD6N65M2 STD6N65M2 Виробник : STMicroelectronics stb6n65m2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD6N65M2 Виробник : STMicroelectronics stb6n65m2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD6N65M2 STD6N65M2 Виробник : STMicroelectronics stb6n65m2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD6N65M2 STD6N65M2 Виробник : STMicroelectronics stb6n65m2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD6N65M2 STD6N65M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00127825.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 226 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.