Продукція > STMICROELECTRONICS > STD6N80K5
STD6N80K5

STD6N80K5 STMicroelectronics

en.DM00085379.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+49.56 грн
5000+46.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD6N80K5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 85W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): 30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STD6N80K5 за ціною від 44.76 грн до 175.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD6N80K5 STD6N80K5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00085379.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 100 V
на замовлення 5268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.51 грн
10+104.09 грн
100+71.22 грн
500+53.63 грн
1000+53.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD6N80K5 STD6N80K5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00085379.pdf MOSFETs N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.70 грн
10+111.45 грн
100+66.59 грн
500+53.27 грн
1000+52.78 грн
2500+44.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD6N80K5 STD6N80K5 Виробник : STMicroelectronics stb6n80k5.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD6N80K5 STD6N80K5 Виробник : STMicroelectronics stb6n80k5.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.