STD6N95K5 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 89.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD6N95K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD6N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STD6N95K5 за ціною від 77.72 грн до 235.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD6N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
STD6N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
STD6N95K5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD6N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 25299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
STD6N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 950V 9A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 100 V |
на замовлення 5813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
STD6N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
STD6N95K5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD6N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 25299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
STD6N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5 |
на замовлення 3285 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
STD6N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 9288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| STD6N95K5 | Виробник : ST |
-channel 950 V, 1 Ohm typ., 9 A Zener-protected SuperMESH(TM) 5 Power MOSFET STD6N95K5 STMicroelectronics TSTD6N95k5 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
STD6N95K5 Код товару: 49734
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||
 |
STD6N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| STD6N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
 |
STD6N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 950V; 9A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 9A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.25Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
STD6N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 950V; 9A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 9A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.25Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |