STD7N65M2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
STD7N65M2 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 650V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 50.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD7N65M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD7N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 0.98 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STD7N65M2 за ціною від 35.13 грн до 147.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STD7N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
STD7N65M2 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 650V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD7N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
STD7N65M2 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 650V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com |
на замовлення 1295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD7N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
STD7N65M2 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 650V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com |
на замовлення 1295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD7N65M2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD7N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 0.98 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD7N65M2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD7N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 0.98 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD7N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package |
на замовлення 971 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD7N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
STD7N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 5A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |