Продукція > STMICROELECTRONICS > STD7N65M6

STD7N65M6 STMicroelectronics

Name: STD7N65M6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 4179609-4
Price: 382.74 UAH
Availability: InStock

Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.91 Ohm typ 5 A MDmesh M6 Power MOSFET

на замовлення 395 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	127.58 грн
100+	124.07 грн
500+	67.74 грн
1000+	58.05 грн
2500+	47.92 грн
5000+	46.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис STD7N65M6 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 5A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.75V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STD7N65M6

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
STD7N65M6	Виробник : STMicroelectronics	Trans MOSFET N-CH 650V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STD7N65M6	Виробник : STMicroelectronics	Trans MOSFET N-CH 650V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STD7N65M6	Виробник : STMicroelectronics	Trans MOSFET N-CH 650V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STD7N65M6	Виробник : STMicroelectronics	Description: MOSFET N-CH 650V 5A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 100 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STD7N65M6	Виробник : STMicroelectronics	Description: MOSFET N-CH 650V 5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 100 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.