STD7N90K5 STMicroelectronics
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 94.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD7N90K5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 7A DPAK, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: DPAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції STD7N90K5 за ціною від 75.18 грн до 216.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STD7N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STD7N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STD7N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 900V 7A DPAK Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STD7N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
STD7N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 900V 7A DPAK Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
STD7N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 900 V, 720 mOhm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| STD7N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 7A; Idm: 28A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 7A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 810mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 12nC Pulsed drain current: 28A |
товару немає в наявності |