STD7N90K5 STMicroelectronics
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 76.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD7N90K5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 7A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V.
Інші пропозиції STD7N90K5 за ціною від 73.39 грн до 245.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STD7N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD7N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD7N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 900V 7A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V |
на замовлення 609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD7N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ 7 A MDmesh K5 Power MOSFET |
на замовлення 2082 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD7N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
STD7N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STD7N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| STD7N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 7A; Idm: 28A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 7A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 810mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 28A Gate charge: 12nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
STD7N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 900V 7A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STD7N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 7A; Idm: 28A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 7A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 810mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 28A Gate charge: 12nC |
товару немає в наявності |