STD7N95K5AG STMicroelectronics


en.DM00789845.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: DISCRETE
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 2047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+252.61 грн
10+158.60 грн
100+110.50 грн
500+84.42 грн
1000+78.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD7N95K5AG STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD7N95K5AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 1.25 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 110W, SVHC: No SVHC (05-Nov-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5 Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm.

Інші пропозиції STD7N95K5AG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STD7N95K5AG STD7N95K5AG STMICROELECTRONICS 4726812.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD7N95K5AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 1.25 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N95K5AG STD7N95K5AG STMicroelectronics en.DM00789845.pdf MOSFETs Automotive-grade N-channel 950 V, 0.95 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N95K5AG 4726812.pdf
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD7N95K5AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 1.25 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD7N95K5AG en.DM00789845.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive-grade N-channel 950 V, 0.95 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.