STD7NM60N STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 64.67 грн |
| 5000+ | 58.49 грн |
| 7500+ | 57.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD7NM60N STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD7NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 45W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.84ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції STD7NM60N за ціною від 52.79 грн до 213.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD7NM60N | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 77490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STD7NM60N | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 77490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STD7NM60N | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 50 V |
на замовлення 10866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STD7NM60N | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V5 A 0.84 Ohm DPAK |
на замовлення 1993 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
STD7NM60N | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD7NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 45W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.84ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| STD7NM60N | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 900mOhm; 5A; 45W; -55°C ~ 150°C; STD7NM60N TSTD7NM60N кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| STD7NM60N | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 900mOhm; 5A; 45W; -55°C ~ 150°C; STD7NM60N TSTD7NM60N кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| STD7NM60N |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 77490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 184+ | 77.02 грн |
| STD7NM60N |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 77490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 95.19 грн |
| 10+ | 88.29 грн |
| 100+ | 81.80 грн |
| 500+ | 74.27 грн |
| STD7NM60N |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 50 V
на замовлення 10866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 213.50 грн |
| 10+ | 132.92 грн |
| 100+ | 91.71 грн |
| 500+ | 69.52 грн |
| 1000+ | 66.52 грн |
| STD7NM60N |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V5 A 0.84 Ohm DPAK
MOSFETs N-channel 600 V5 A 0.84 Ohm DPAK
на замовлення 1993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STD7NM60N |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD7NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 45W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.84ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: STMICROELECTRONICS - STD7NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 45W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.84ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)