STD80N10F7 STMicroelectronics
на замовлення 4577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 161.70 грн |
| 10+ | 110.16 грн |
| 100+ | 75.47 грн |
| 500+ | 59.79 грн |
| 1000+ | 54.50 грн |
| 2500+ | 50.51 грн |
| 5000+ | 50.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD80N10F7 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 70A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 85W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 50 V.
Інші пропозиції STD80N10F7 за ціною від 54.70 грн до 186.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD80N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 100V 70A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 50 V |
на замовлення 1087 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STD80N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STD80N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| STD80N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; Idm: 280A; 85W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 70A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 85W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
STD80N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 70A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STD80N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; Idm: 280A; 85W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 70A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 85W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |