Продукція > STMICROELECTRONICS > STD80N3LL
STD80N3LL

STD80N3LL STMicroelectronics

std80n3ll.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+24.84 грн
5000+22.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD80N3LL STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 40A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції STD80N3LL за ціною від 25.14 грн до 93.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STD80N3LL STD80N3LL STMicroelectronics std80n3ll.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
на замовлення 6597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.27 грн
10+56.84 грн
100+37.68 грн
500+27.63 грн
1000+25.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N3LL STD80N3LL STMicroelectronics std80n3ll.pdf MOSFETs N-channel 30 V, 2 mOhm typ., 80 A, STripFET H6 Power MOSFET in DPAK package
на замовлення 3016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N3LL std80n3ll.pdf
STD80N3LL
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
на замовлення 6597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+93.27 грн
10+56.84 грн
100+37.68 грн
500+27.63 грн
1000+25.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N3LL std80n3ll.pdf
STD80N3LL
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 30 V, 2 mOhm typ., 80 A, STripFET H6 Power MOSFET in DPAK package
на замовлення 3016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.