Продукція > STMICROELECTRONICS > STD80N3LL
STD80N3LL

STD80N3LL STMicroelectronics

std80n3ll.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.30 грн
5000+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD80N3LL STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD80N3LL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 4000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STD80N3LL за ціною від 21.48 грн до 98.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD80N3LL STD80N3LL Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0008001296-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STD80N3LL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 4000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.68 грн
500+31.65 грн
1000+27.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N3LL STD80N3LL Виробник : STMicroelectronics std80n3ll.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
204+61.02 грн
Мінімальне замовлення: 204
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N3LL STD80N3LL Виробник : STMicroelectronics std80n3ll.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+65.38 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N3LL STD80N3LL Виробник : STMicroelectronics std80n3ll.pdf MOSFETs N-channel 30 V, 2 mOhm typ., 80 A, STripFET H6 Power MOSFET in DPAK package
на замовлення 3016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+66.24 грн
10+46.06 грн
100+32.38 грн
500+29.08 грн
1000+26.47 грн
2500+23.94 грн
5000+21.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N3LL STD80N3LL Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0008001296-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STD80N3LL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 4000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+69.29 грн
50+49.06 грн
100+39.68 грн
500+31.65 грн
1000+27.08 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N3LL STD80N3LL Виробник : STMicroelectronics std80n3ll.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 25 V
на замовлення 6597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.77 грн
10+60.19 грн
100+39.90 грн
500+29.26 грн
1000+26.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N3LL STD80N3LL Виробник : STMicroelectronics std80n3ll.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N3LL Виробник : STMicroelectronics std80n3ll.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.