Продукція > STMICROELECTRONICS > STD80N450K6
STD80N450K6

STD80N450K6 STMICROELECTRONICS

3930858.pdf Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD80N450K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+156.80 грн
500+137.17 грн
1000+108.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD80N450K6 STMICROELECTRONICS

Description: N-CHANNEL 800 V, 380 MOHM TYP.,, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 400 V.

Інші пропозиції STD80N450K6 за ціною від 98.54 грн до 307.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD80N450K6 STD80N450K6 Виробник : STMICROELECTRONICS 3930858.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD80N450K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+275.64 грн
10+193.94 грн
100+156.80 грн
500+137.17 грн
1000+108.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N450K6 STD80N450K6 Виробник : STMicroelectronics std80n450k6-3079808.pdf MOSFETs N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+293.54 грн
10+203.05 грн
100+126.54 грн
500+105.20 грн
1000+102.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N450K6 STD80N450K6 Виробник : STMicroelectronics std80n450k6.pdf Description: N-CHANNEL 800 V, 380 MOHM TYP.,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 400 V
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+307.18 грн
10+195.03 грн
100+137.46 грн
500+105.95 грн
1000+98.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N450K6 STD80N450K6 Виробник : STMicroelectronics std80n450k6.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N450K6 STD80N450K6 Виробник : STMicroelectronics std80n450k6.pdf Description: N-CHANNEL 800 V, 380 MOHM TYP.,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.