Продукція > STMICROELECTRONICS > STD80N4F6
STD80N4F6

STD80N4F6 STMicroelectronics

STD80N4F6.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+53.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD80N4F6 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD80N4F6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 70W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET VI DeepGATE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm.

Інші пропозиції STD80N4F6 за ціною від 50.60 грн до 200.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STD80N4F6 STD80N4F6 STMicroelectronics 695895259493421dm00109418.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+64.06 грн
232+63.05 грн
236+62.05 грн
250+58.87 грн
500+53.61 грн
1000+50.60 грн
Мінімальне замовлення: 229 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N4F6 STD80N4F6 STMicroelectronics 695895259493421dm00109418.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.06 грн
13+64.06 грн
25+63.05 грн
100+59.83 грн
250+54.51 грн
500+51.47 грн
1000+50.60 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N4F6 STD80N4F6 STMicroelectronics 695895259493421dm00109418.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+68.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N4F6 STD80N4F6 STMicroelectronics 695895259493421dm00109418.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N4F6 STD80N4F6 STMicroelectronics STD80N4F6.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.09 грн
10+111.59 грн
50+84.95 грн
100+71.64 грн
500+57.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N4F6 STD80N4F6 STMicroelectronics STD80N4F6.pdf MOSFETs N-Ch 40V 80A STripFET VI DeepGate
на замовлення 2921 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+200.08 грн
10+97.33 грн
100+62.44 грн
500+53.97 грн
1000+53.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N4F6 STD80N4F6 STMICROELECTRONICS 2819062.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD80N4F6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VI DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 3864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N4F6 STD80N4F6 STMICROELECTRONICS 2819062.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD80N4F6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VI DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 3864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N4F6 695895259493421dm00109418.pdf
STD80N4F6
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
229+64.06 грн
232+63.05 грн
236+62.05 грн
250+58.87 грн
500+53.61 грн
1000+50.60 грн
Мінімальне замовлення: 229 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N4F6 695895259493421dm00109418.pdf
STD80N4F6
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+65.06 грн
13+64.06 грн
25+63.05 грн
100+59.83 грн
250+54.51 грн
500+51.47 грн
1000+50.60 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N4F6 695895259493421dm00109418.pdf
STD80N4F6
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+68.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N4F6 695895259493421dm00109418.pdf
STD80N4F6
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+69.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N4F6 STD80N4F6.pdf
STD80N4F6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+180.09 грн
10+111.59 грн
50+84.95 грн
100+71.64 грн
500+57.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N4F6 STD80N4F6.pdf
STD80N4F6
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 40V 80A STripFET VI DeepGate
на замовлення 2921 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+200.08 грн
10+97.33 грн
100+62.44 грн
500+53.97 грн
1000+53.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N4F6 2819062.pdf
STD80N4F6
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD80N4F6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VI DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 3864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N4F6 2819062.pdf
STD80N4F6
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD80N4F6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VI DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 3864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.