Продукція > STMICROELECTRONICS > STD80N4F6
STD80N4F6

STD80N4F6 STMicroelectronics

en.DM00109418.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+41.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD80N4F6 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD80N4F6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET VI DeepGATE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STD80N4F6 за ціною від 49.14 грн до 205.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STD80N4F6 STD80N4F6 STMicroelectronics en.DM00109418.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.84 грн
10+53.29 грн
100+49.14 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N4F6 STD80N4F6 STMICROELECTRONICS 2819062.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD80N4F6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VI DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+205.65 грн
10+132.49 грн
100+82.10 грн
500+63.55 грн
1000+54.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N4F6 STD80N4F6 STMicroelectronics en.DM00109418.pdf MOSFETs N-Ch 40V 80A STripFET VI DeepGate
на замовлення 1951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N4F6 en.DM00109418.pdf
STD80N4F6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+65.84 грн
10+53.29 грн
100+49.14 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N4F6 2819062.pdf
STD80N4F6
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD80N4F6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VI DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+205.65 грн
10+132.49 грн
100+82.10 грн
500+63.55 грн
1000+54.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD80N4F6 en.DM00109418.pdf
STD80N4F6
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 40V 80A STripFET VI DeepGate
на замовлення 1951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.