STD86N3LH5 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 35.56 грн |
| 5000+ | 31.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD86N3LH5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: DPAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції STD86N3LH5 за ціною від 36.05 грн до 127.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STD86N3LH5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 30 V |
на замовлення 39432 шт: термін постачання 717-726 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STD86N3LH5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 30V 80A DPAKQualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 7457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| STD86N3LH5 | Виробник : STM |
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
