Продукція > STMICROELECTRONICS > STD8N60DM2
STD8N60DM2

STD8N60DM2 STMicroelectronics

en.DM00184996.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+39.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD8N60DM2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 85W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STD8N60DM2 за ціною від 34.58 грн до 102.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STD8N60DM2 STD8N60DM2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00184996.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 100 V
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+96.05 грн
10+ 75.45 грн
100+ 58.69 грн
500+ 46.69 грн
1000+ 38.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
STD8N60DM2 STD8N60DM2 Виробник : STMicroelectronics std8n60dm2-1850559.pdf MOSFET N-channel 600 V, 550 mOhm typ 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 2293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+102.03 грн
10+ 82.92 грн
100+ 55.95 грн
500+ 47.47 грн
1000+ 38.59 грн
2500+ 36.32 грн
5000+ 34.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
STD8N60DM2 STD8N60DM2 Виробник : STMicroelectronics en.dm00184996.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
STD8N60DM2 Виробник : STMicroelectronics en.dm00184996.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній