Продукція > STMICROELECTRONICS > STD8N60DM2
STD8N60DM2

STD8N60DM2 STMicroelectronics

en.DM00184996.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 100 V
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.80 грн
10+74.25 грн
100+49.91 грн
500+37.05 грн
1000+34.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD8N60DM2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 85W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STD8N60DM2 за ціною від 27.54 грн до 127.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD8N60DM2 STD8N60DM2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00184996.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.71 грн
10+80.98 грн
100+46.51 грн
500+37.09 грн
1000+33.40 грн
2500+29.28 грн
5000+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD8N60DM2 STD8N60DM2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00184996.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD8N60DM2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00184996.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 85W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 85W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.