Продукція > STMICROELECTRONICS > STD8N65M5
STD8N65M5

STD8N65M5 STMicroelectronics

std8n65m5.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+135.82 грн
10+120.84 грн
25+119.85 грн
100+103.15 грн
250+93.57 грн
500+88.86 грн
1000+87.89 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD8N65M5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD8N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.56 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 70W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm.

Інші пропозиції STD8N65M5 за ціною від 77.58 грн до 233.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STD8N65M5 STD8N65M5 STMicroelectronics std8n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+135.82 грн
117+120.84 грн
118+119.85 грн
132+103.15 грн
250+93.57 грн
500+88.86 грн
1000+87.89 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD8N65M5 STD8N65M5 STMicroelectronics en.CD00253250.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 100 V
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.84 грн
10+146.55 грн
100+101.81 грн
500+77.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD8N65M5 STD8N65M5 STMICROELECTRONICS 2307858.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD8N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.56 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm
на замовлення 1559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD8N65M5 STD8N65M5 STMicroelectronics en.CD00253250.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.56 Ohm MDmesh M5 7A 710VDss
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD8N65M5 std8n65m5.pdf
STD8N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
104+135.82 грн
117+120.84 грн
118+119.85 грн
132+103.15 грн
250+93.57 грн
500+88.86 грн
1000+87.89 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD8N65M5 en.CD00253250.pdf
STD8N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 100 V
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+233.84 грн
10+146.55 грн
100+101.81 грн
500+77.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD8N65M5 2307858.pdf
STD8N65M5
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD8N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.56 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm
на замовлення 1559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD8N65M5 en.CD00253250.pdf
STD8N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.56 Ohm MDmesh M5 7A 710VDss
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.