STD8NF25 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 250V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 95.04 грн |
| 10+ | 57.83 грн |
| 50+ | 42.94 грн |
| 100+ | 35.79 грн |
| 500+ | 27.87 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD8NF25 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD8NF25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 8 A, 0.318 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 72W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET II, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.318ohm.
Інші пропозиції STD8NF25 за ціною від 21.20 грн до 103.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD8NF25 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 250V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD8NF25 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 250V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STD8NF25 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 250 V 318 mOhm 8 A STripFET II |
на замовлення 2013 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STD8NF25 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD8NF25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 8 A, 0.318 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 72W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET II productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.318ohm |
на замовлення 2039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STD8NF25 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 250V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 250V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 101.61 грн |
| STD8NF25 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 250V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 250V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 146+ | 101.61 грн |
| STD8NF25 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 250 V 318 mOhm 8 A STripFET II
MOSFETs N-Ch 250 V 318 mOhm 8 A STripFET II
на замовлення 2013 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 103.36 грн |
| 10+ | 47.63 грн |
| 100+ | 36.80 грн |
| 500+ | 28.62 грн |
| 1000+ | 28.17 грн |
| 2500+ | 23.10 грн |
| 5000+ | 21.20 грн |
| STD8NF25 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD8NF25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 8 A, 0.318 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 72W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.318ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STD8NF25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 8 A, 0.318 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 72W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.318ohm
на замовлення 2039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)