Продукція > ST > STD90NH02LT4

STD90NH02LT4


en.CD00003070.pdf
Виробник: ST
TO252
на замовлення 27367 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD90NH02LT4 ST

Description: MOSFET N-CH 24V 60A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: DPAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 95W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції STD90NH02LT4

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD90NH02LT4 STD90NH02LT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00003070.pdf Description: MOSFET N-CH 24V 60A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD90NH02LT4 STD90NH02LT4 Виробник : STMicroelectronics stmicroelectronics_cd00003070-1205201.pdf MOSFET N-Ch 24 Volt 60 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.