STD95N4F3

STD95N4F3 STMicroelectronics


en.CD00153132.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+53.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD95N4F3 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD95N4F3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 5800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 110W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET III, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STD95N4F3 за ціною від 50.55 грн до 151.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD95N4F3 STD95N4F3 Виробник : STMicroelectronics 95813185737468106.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+66.42 грн
5000+62.45 грн
10000+60.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD95N4F3 STD95N4F3 Виробник : STMicroelectronics 95813185737468106.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+77.39 грн
5000+73.80 грн
10000+71.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD95N4F3 STD95N4F3 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0001128788-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD95N4F3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 5800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET III
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+87.04 грн
500+63.30 грн
1000+56.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STD95N4F3 STD95N4F3 Виробник : STMicroelectronics stb95n4f3-1850258.pdf MOSFETs N Ch 40V 5.4mOhm 80A
на замовлення 3616 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.28 грн
10+113.86 грн
100+78.79 грн
250+72.51 грн
500+66.17 грн
1000+56.27 грн
2500+53.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD95N4F3 STD95N4F3 Виробник : STMicroelectronics en.CD00153132.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 5428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.39 грн
10+98.87 грн
100+70.53 грн
500+54.40 грн
1000+50.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD95N4F3 Виробник : ST en.CD00153132.pdf
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD95N4F3 STD95N4F3 Виробник : STMicroelectronics 95813185737468106.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD95N4F3 STD95N4F3 Виробник : STMicroelectronics 95813185737468106.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.