STD95N4LF3 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 173.97 грн |
| 10+ | 108.11 грн |
| 100+ | 74.11 грн |
| 500+ | 55.90 грн |
| 1000+ | 55.86 грн |
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Технічний опис STD95N4LF3 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD95N4LF3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET III Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції STD95N4LF3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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STD95N4LF3 | STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 40 Volt 80 Amp |
на замовлення 185 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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STD95N4LF3 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD95N4LF3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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STD95N4LF3 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD95N4LF3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| STD95N4LF3 |
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Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 40 Volt 80 Amp
MOSFET N-Ch 40 Volt 80 Amp
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STD95N4LF3 |
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Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD95N4LF3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: STMICROELECTRONICS - STD95N4LF3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Dauer-Drainstrom Id: 80A
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET III Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STD95N4LF3 |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD95N4LF3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Produktpalette: STripFET III Series
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: STMICROELECTRONICS - STD95N4LF3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
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Produktpalette: STripFET III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




