Продукція > STMICROELECTRONICS > STD95P3LLH6AG
STD95P3LLH6AG

STD95P3LLH6AG STMicroelectronics

std95p3llh6ag.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.71 грн
10+137.94 грн
100+109.78 грн
500+87.17 грн
1000+73.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD95P3LLH6AG STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±18V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції STD95P3LLH6AG за ціною від 50.93 грн до 186.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD95P3LLH6AG STD95P3LLH6AG Виробник : STMicroelectronics std95p3llh6ag.pdf MOSFETs Automotive-grade P-channel -30 V, 5 mOhm typ., -80 A, STripFET H6 Power MOSFET i
на замовлення 1138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.27 грн
10+125.31 грн
100+74.84 грн
500+59.70 грн
1000+57.21 грн
2500+51.15 грн
10000+50.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD95P3LLH6AG Виробник : STMicroelectronics en.dm00315048.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD95P3LLH6AG STD95P3LLH6AG Виробник : STMicroelectronics en.dm00315048.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD95P3LLH6AG STD95P3LLH6AG Виробник : STMicroelectronics std95p3llh6ag.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD95P3LLH6AG Виробник : STMicroelectronics std95p3llh6ag.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -80A; Idm: -320A; 104W; DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -320A
Drain current: -80A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 113nC
On-state resistance: 6.9mΩ
Power dissipation: 104W
Gate-source voltage: ±18V
Case: DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.