Продукція > STMICROELECTRONICS > STD95P3LLH6AG
STD95P3LLH6AG

STD95P3LLH6AG STMicroelectronics

std95p3llh6ag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.88 грн
10+132.49 грн
100+105.44 грн
500+83.72 грн
1000+71.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD95P3LLH6AG STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±18V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції STD95P3LLH6AG за ціною від 46.68 грн до 172.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD95P3LLH6AG STD95P3LLH6AG Виробник : STMicroelectronics std95p3llh6ag.pdf MOSFETs Automotive-grade P-channel -30 V, 5 mOhm typ., -80 A, STripFET H6 Power MOSFET i
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.03 грн
10+115.73 грн
100+69.11 грн
500+55.14 грн
1000+52.83 грн
2500+46.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD95P3LLH6AG Виробник : STM std95p3llh6ag.pdf DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD95P3LLH6AG Виробник : STMicroelectronics std95p3llh6ag.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 80 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6250 @25, Qg, нКл = 113 @ 10 В, Rds = 6,9 мОм @ 40 A, 10 В, Ugs(th) = 2.5 В @ 250 мкA, Р, Вт = 104, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-252-3 Од. вим
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD95P3LLH6AG STD95P3LLH6AG Виробник : STMicroelectronics std95p3llh6ag.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.