Продукція > STMICROELECTRONICS > STD96N3LLH6
STD96N3LLH6

STD96N3LLH6 STMICROELECTRONICS

SGSTS35334-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD96N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 14657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+56.07 грн
500+48.70 грн
1000+35.50 грн
5000+34.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD96N3LLH6 STMICROELECTRONICS

Description: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V.

Інші пропозиції STD96N3LLH6 за ціною від 34.79 грн до 100.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD96N3LLH6 STD96N3LLH6 Виробник : STMICROELECTRONICS SGSTS35334-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STD96N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 14657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+100.44 грн
11+77.80 грн
100+56.07 грн
500+48.70 грн
1000+35.50 грн
5000+34.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
STD96N3LLH6 STD96N3LLH6 Виробник : STMicroelectronics 1016563936348230cd00297648.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD96N3LLH6 Виробник : STMicroelectronics 1016563936348230cd00297648.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD96N3LLH6 Виробник : STMicroelectronics en.CD00297648.pdf STD96N3LLH6 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD96N3LLH6 STD96N3LLH6 Виробник : STMicroelectronics en.CD00297648.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD96N3LLH6 STD96N3LLH6 Виробник : STMicroelectronics en.CD00297648.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD96N3LLH6 STD96N3LLH6 Виробник : STMicroelectronics std96n3llh6-1850445.pdf MOSFET N-Ch 30V 0.0037 Ohm 80A STripFET VI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.